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- 微電子元器件ESD測試服務
ESD以高電壓、短時放電特性威脅微電子元器件可靠性，是造成失效的主要原因之一。ESD測試服務助力企業(yè)進行質(zhì)量優(yōu)化與技術創(chuàng)新，以應對電子復雜度升級和國際標準嚴苛化挑戰(zhàn)，成為技術破局與差異化競爭的關鍵工具。
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| 微電子元器件ESD測試服務 |
| 人體模型（HBM）丨機器模型（MM）丨帶電器件模型（CDM） |
服務背景
ESD（Electro-Static discharge）意為靜電放電，其特點在于其高電壓、低電量、小電流以及作用時間短，對于微電子元器件而言是致命的。在IC行業(yè)中，ESD是主要的可靠性威脅之一，三分之一IC的失效都源于此。例如，氧化層擊穿、金屬遷移、電荷注入、瞬態(tài)過熱等。
ESD測試服務通過合規(guī)支撐、質(zhì)量管控、成本優(yōu)化、技術賦能四大維度，為客戶創(chuàng)造全生命周期價值。在電子產(chǎn)品復雜度提升、國際標準趨嚴的背景下，專業(yè)的ESD測試服務已成為企業(yè)突破技術壁壘、實現(xiàn)差異化競爭不可或缺的核心工具之一。
服務內(nèi)容
SGS能夠為客戶提供完備的ESD測試服務，滿足各類標準要求，幫助客戶進行設計改進、降低保修和召回成本。
ESD測試主要有三大類別，分別對應三種模型——人體模型（HBM）、機器模型（MM）和帶電器件模型（CDM）。
a) HBM模擬的是人體通過接觸釋放靜電到電子器件上的情形，HBM的放電時間非常短暫，通常在納秒(ns)量級，具體數(shù)值大約在100納秒左右。
1. 參考標準
● ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2024
● AEC-Q100-002-Rev-E 2013
● AEC-Q101-001-Rev-A 2005
● MIL-STD-883-3-2019 Method 3015.9
● GJB548C-2021-3015.1
2. 電壓等級
Classification | Voltage Range (V) |
0Z | < 50 |
0A | 50 to < 125 |
0B | 125 to < 250 |
1A | 250 to < 500 |
1B | 500 to < 1000 |
1C | 1000 to < 2000 |
2 | 2000 to < 4000 |
3A | 4000 to < 8000 |
3B | ≥ 8000 |
b) MM模擬生產(chǎn)設備對器件的靜電沖擊，常見于半導體制造環(huán)節(jié)。
1. 參考標準
● JEDEC JESD22-A115C-2010
2. 電壓等級
Voltage Level (V) | Positive Ipeak for Short, Ips1 (A) | Positive Ipeak for 500 Ohm* Ipr (A) | Current at 100 ns for 500 Ohm* I100 (A) | Maximum Ringing Current, IR (A) | Resonance Frequency for Short, FR (1/tfr) (Mhz) |
100 | 1.5 - 2.0 | N/A | N/A | Ips1 x 30% | 11 - 16 |
200 | 2.8 - 3.8 | N/A | N/A | Ips1 x 30% | 11 - 16 |
400 | 5.8 - 8.0 | 1100 x 4.5 maximum | 0.29+/-20% | Ips1 x 30% | 11 - 16 |
c) CDM模擬的是帶電的器件接觸到地或?qū)w時的放電，特點是放電能量集中且放電時間極短。
1. 參考標準
● ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2022
● AEC-Q100-011-RevD 2019
● AEC-Q101-005-REV-A-2019
2. 電壓等級
Classification Level (see Note 1) | Classification Test Condition (in Volts) (See Note 2) |
C0a | < 125 |
C0b | 125 to < 250 |
C1 | 250 to < 500 |
C2a | 500 to < 750 |
C2b | 750 to < 1000 |
C3 | ≥1000 (see Note 3) |
測試步驟
? HBM&MM
1. 確定芯片封裝及尺寸
2. 選擇對應封裝的socket
3. 建立芯片pin腳與機臺通道對應關系的mapping
4. 根據(jù)引腳屬性將芯片的引腳進行分組
5. 設定合適的IV量程，對芯片引腳進行IV調(diào)試
6. 根據(jù)測試方案建立測試放電組合
7. 每個電壓使用至少3pcs/10pcs(根據(jù)不同標準及客戶方案確定）將芯片所有的pin腳和放電組合都測試一遍
8. 根據(jù)最弱引腳能通過的電壓對芯片進行ESD能力等級判定
? CDM
1. 校驗大小金幣確認設備波形是否符合標準要求
2. 將芯片引腳朝上放置在設備中
3. 在程序中設定芯片封裝、引腳數(shù)、芯片尺寸和引腳間距
4. 放電針定位芯片pin1腳
5. 檢查設備自動定位pin1對角是否準確
6. 根據(jù)測試方案或標注要求設定測試電壓極性和測試電壓
7. 等待濕度降至30%以下之后開始測試
8. 每個電壓至少測試3pcs/10pcs(根據(jù)不同標準及客戶方案確定）
9. 根據(jù)測試前后的IV曲線判定測試后結果是否pass
10. 根據(jù)最弱引腳能通過的電壓對芯片進行ESD能力等級判定
服務流程
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1. 咨詢客服 | 2. 申請測試 | 3. 支付費用 | 4. 寄送樣品 | 5. 獲取報告 |
在線咨詢 | 確定服務項目 | 支付測試費用 | 打印申請單 | 測試完成 |
我們的優(yōu)勢
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