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SGS Dual Beam FIB測試服務

SGS Dual Beam FIB測試服務

FIB技術的出現實現了超大規模集成電路在失效分析對失效部位的精密定位，是大規模集成電路失效分析的基礎?，F在FIB 的加工精度可達到深亞微米級、納米級，極大程度上提高了EDX的成分分析，能針對樣品中的微細結構進行納米尺度的定位及觀察。SGS Dual Beam FIB測試服務為客戶提供更為精確的測試和改善措施。

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SGS Dual Beam FIB測試服務
■ Circuit Edit芯片線路修改
■ Cross-section納米切片制樣
■ SEM &EDX高分辨電子掃面顯微鏡 & EDX能譜分析
■ SGS深圳半導體實驗室Dual beam FIB測試能力

服務挑戰

隨著集成電路技術的不斷發展，其芯片的特征尺寸變得越來越小，器件的結構越來越復雜，與之相應的芯片工藝診斷、失效分析、器件微細加工也變得越來越困難，傳統的分析手段已經難以滿足集成電路器件向深亞微米級、納米級技術發展的需要。FIB技術的出現實現了超大規模集成電路在失效分析對失效部位的精密定位，是大規模集成電路失效分析的基礎?，F在FIB的加工精度可達到深亞微米級、納米級，極大程度上提高了EDX的成分分析，能針對樣品中的微細結構進行納米尺度的定位及觀察。SGS Dual Beam FIB測試服務為客戶提供更為精確的測試和改善措施。

服務內容

雙束聚焦離子束Dual Beam FIB
Dual Beam FIB:(雙束聚焦離子束)機臺能在使用離子束切割樣品的同時，用電子束對樣品斷面(剖面)進行觀察，亦可進行EDX的成分分析，能針對樣品中的微細結構進行納米尺度的定位及觀察。離子束最大電流可達65nA，快速的切削速度能有效縮短取得數據的時間。

解決方案

設備能力
● Circuit Edit芯片線路修改
● Cross-section納米切片制樣
● SEM &EDX高分辨電子掃面顯微鏡 & EDX能譜分析
● SGS深圳半導體實驗室Dual beam FIB測試能力

Vendor

Thermo Fisher (USA)

Model

Helios 5 CX

Spec

Electron beam resolution

• At optimum WD:
0.6 nm at 30 kV STEM
0.6 nm at 15 kV
1.0 nm at 1 kV
0.9 nm at 1 kV with beam deceleration*

• coincident point:
0.6 nm at 15 kV
1.5 nm at 1 kV with beam deceleration* and DBS*

Dual Beam FIB工作原理簡介

聚焦離子束(FIB)系統利用鎵離子源和雙透鏡聚焦柱，用強烈的聚焦離子束轟擊標本表面，以進行精密材料去除、沉積和高分辨率成像。

簡單來說是聚合了FIB處理樣品和SEM觀察成相的功能。其中FIB是將Ga元素離子化離子化成Ga+，然后利用電場加速，再利用靜電透鏡聚焦將，將高能量的Ga+打到指定點從而達到處理樣品的功能。http://www.hfyimer.cn/sku/product/901469

工作原理

服務優勢

	SGS在半導體領域具備完整的產業鏈服務
	SGS具備全球的服務能力
	SGS在半導體產品方面具有多年的檢測經驗
	SGS對于半導體在汽車行業的應用方面具備相關服務及檢測經驗

應用案例

● 芯片線路修改案例：

● FIB切片制樣觀察：

● SEM & EDX能譜分析：

服務流程


1. 咨詢客服	2. 申請測試	3. 支付費用	4. 寄送樣品	5. 獲取報告
在線咨詢溝通業務需求	確定服務項目填寫測試申請單	支付測試費用并提交開票資料	打印申請單并隨樣品一起郵寄至SGS實驗室	測試完成獲取測試報告